BSM180D12P2E002
| 工場モデル | BSM180D12P2E002 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO |
| パッケージ | Module |
| 株式 | 124 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $333.582 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 35.2mA |
| 技術 | Silicon Carbide (SiC) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力 - 最大 | 1360W (Tc) |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18000pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 204A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | BSM180 |
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