BSM180C12P2E202
| 工場モデル | BSM180C12P2E202 |
|---|---|
| メーカー | Rohm Semiconductor |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 1200V 204A MODULE |
| パッケージ | Module |
| 株式 | 170 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 |
|---|
| $258.864 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRohm Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。170のRohm Semiconductor BSM180C12P2E202の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 35.2mA |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | - |
| 電力消費（最大） | 1360W (Tc) |
| パッケージ/ケース | Module |
| パッケージ | Tray |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20000 pF @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 204A (Tc) |
| 基本製品番号 | BSM180 |
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