IXFX21N100F
| 工場モデル | IXFX21N100F |
|---|---|
| メーカー | IXYS RF |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 |
| パッケージ | PLUS247™-3 |
| 株式 | 5901 pcs |
| データシート | IXFK21N100F, IXFX21N100F |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 30 | 120 |
|---|---|---|
| $9.608 | $8.167 | $7.59 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 4mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 |
| シリーズ | HiPerRF™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 500W (Tc) |
| パッケージング | Tube |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム | 14 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5500pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 160nC @ 10V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000V |
| 詳細な説明 | N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
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