IXFX32N100Q3
| 工場モデル | IXFX32N100Q3 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3 |
| パッケージ | PLUS247™-3 |
| 株式 | 4030 pcs |
| データシート | IXFx32N100Q3 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $13.769 | $12.7 | $10.845 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4030のIXYS IXFX32N100Q3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 8mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS247™-3 |
| シリーズ | HiPerFET™, Q3 Class |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 320mOhm @ 16A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9940 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFX32 |
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