VBH40-05B
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | V2-PAK |
| シリーズ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 116mOhm @ 30A, 10V |
| 電力 - 最大 | - |
| パッケージ/ケース | V2-PAK |
| パッケージ | Box |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 270nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | VBH40 |
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