VQ1001P-2
| 工場モデル | VQ1001P-2 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| パッケージ | 14-DIP |
| 株式 | 5553 pcs |
| データシート | VQ1001J/P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 14-DIP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.75Ohm @ 200mA, 5V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| パッケージ/ケース | - |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 110pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 830mA |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel |
| 基本製品番号 | VQ1001 |
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