IXTN120P20T
| 工場モデル | IXTN120P20T |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B |
| パッケージ | SOT-227B |
| 株式 | 2477 pcs |
| データシート | IXTN120P20T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $19.956 | $18.747 | $16.811 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| シリーズ | TrenchP™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 30mOhm @ 60A, 10V |
| 電力消費（最大） | 830W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 73000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 740 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 106A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTN120 |
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