IXTN120N25
| 工場モデル | IXTN120N25 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B |
| パッケージ | SOT-227B |
| 株式 | 4611 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4611のIXYS IXTN120N25の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| シリーズ | MegaMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 730W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7700 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTN120 |
おすすめ商品
-
IXTN22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227BIXYS -
IXTN210P10T
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227BIXYS -
IXTN21N100
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227BIXYS -
IXTM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AEIXYS -
IXTM9226
POWER MOSFET TO-3IXYS -
IXTN170P10P
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227BIXYS -
IXTM5N100
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AAIXYS -
IXTN200N10L2
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227BIXYS -
IXTN102N65X2
MOSFET N-CH 650V 76A SOT227IXYS -
IXTN17N120L
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227BIXYS -
IXTN240N075L2
MOSFET N-CH 75V 225A SOT227BIXYS -
IXTM5N100A
MOSFET N-CH 1000V 5A TO204AAIXYS -
IXTM6N90A
MOSFET N-CH 900V 6A TO204AAIXYS -
IXTM50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO204AEIXYS -
IXTM67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AEIXYS -
IXTN110N20L2
MOSFET N-CH 200V 100A SOT227BIXYS -
IXTM40N30
MOSFET N-CH 300V 40A TO204AEIXYS -
IXTN120P20T
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227BIXYS -
IXTN30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BIXYS -
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227BIXYS