IXTH8P50
工場モデル | IXTH8P50 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 500V 8A TO247 |
パッケージ | TO-247 (IXTH) |
株式 | 16648 pcs |
データシート | IXT(H,T)8P50 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$3.453 | $3.12 | $2.583 | $2.249 | $1.959 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.2Ohm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 180W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3400 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 130 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
基本製品番号 | IXTH8 |
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