IXTH76P10T
| 工場モデル | IXTH76P10T |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 100V 76A TO247 |
| パッケージ | TO-247 (IXTH) |
| 株式 | 21928 pcs |
| データシート | IXT(A,H,P)76P10T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.273 | $2.956 | $2.447 | $2.131 | $1.856 | $1.787 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±15V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) |
| シリーズ | TrenchP™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 38A, 10V |
| 電力消費（最大） | 298W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13700 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 197 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 76A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTH76 |
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