IXTH21N50
工場モデル | IXTH21N50 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 |
パッケージ | TO-247 (IXTH) |
株式 | 11532 pcs |
データシート | IXTH/IXTM 21N50, 24N50 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
30 |
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$2.87 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) |
シリーズ | MegaMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 250mOhm @ 10.5A, 10V |
電力消費(最大) | 300W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4200 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 190 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 500 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Tc) |
基本製品番号 | IXTH21 |
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