IXTH200N10T
| 工場モデル | IXTH200N10T |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
| パッケージ | TO-247 (IXTH) |
| 株式 | 22154 pcs |
| データシート | IXT(H,Q)200N10T |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $3.778 | $3.414 | $2.826 | $2.461 | $2.144 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 (IXTH) |
| シリーズ | Trench |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大） | 550W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTH200 |
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