IXTF6N200P3
工場モデル | IXTF6N200P3 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC |
パッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
株式 | 3360 pcs |
データシート | IXTF6N200P3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
25 |
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$13.474 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
シリーズ | Polar P3™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.2Ohm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 215W (Tc) |
パッケージ/ケース | ISOPLUSi5-Pak™ |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 143 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 2000 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
基本製品番号 | IXTF6 |
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