IXTD4N80P-3J
| 工場モデル | IXTD4N80P-3J |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE |
| パッケージ | Die |
| 株式 | 6318 pcs |
| データシート | Mule Devices EOL 21/Mar/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 100µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| シリーズ | PolarHV™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4Ohm @ 1.8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) |
| パッケージ/ケース | Die |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 750 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXTD4N |
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