IXFT150N20T
工場モデル | IXFT150N20T |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 150A TO268 |
パッケージ | TO-268AA |
株式 | 5354 pcs |
データシート | IXFx150N20T |
提案された価格 (米ドルでの測定)
30 |
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$7.35 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 4mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-268AA |
シリーズ | HiPerFET™, Trench |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 15mOhm @ 75A, 10V |
電力消費(最大) | 890W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 11700 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 177 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 150A (Tc) |
基本製品番号 | IXFT150 |
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