IXFT12N100F
| 工場モデル | IXFT12N100F |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
| パッケージ | TO-268 |
| 株式 | 6235 pcs |
| データシート | IXFH12N50F, IXFT12N50FMult Dev EOL 18/Jan/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5.5V @ 4mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-268 |
| シリーズ | HiPerRF™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 77 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFT12 |
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