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IXYS

IXFN106N20

工場モデル IXFN106N20
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
パッケージ SOT-227B
株式 5163 pcs
データシート IXFK90N20, IXFN(100,106)N20
提案された価格 (米ドルでの測定)
10
$8.913
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5163のIXYS IXFN106N20の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 8mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 20mOhm @ 500mA, 10V
電力消費(最大) 521W (Tc)
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Chassis Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 9000 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 380 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 106A (Tc)
基本製品番号 IXFN106

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データシート