IXFN106N20
工場モデル | IXFN106N20 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B |
パッケージ | SOT-227B |
株式 | 5163 pcs |
データシート | IXFK90N20, IXFN(100,106)N20 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
10 |
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$8.913 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 8mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
シリーズ | HiPerFET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 521W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 9000 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 380 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 106A (Tc) |
基本製品番号 | IXFN106 |
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