IXFN100N10S3
| 工場モデル | IXFN100N10S3 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B |
| パッケージ | SOT-227B |
| 株式 | 5443 pcs |
| データシート | IXFN100N10S1/2/3 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5443のIXYS IXFN100N10S3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
RFQメール：info@Components-House.net
規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B |
| シリーズ | HiPerFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFN100 |
おすすめ商品
-
IXFM42N20
MOSFET N-CH 200V 42A TO204AEIXYS -
IXFN100N20
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227BIXYS -
IXFN110N60P3
MOSFET N-CH 600V 90A SOT227BIXYS -
IXFN100N65X2
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227BIXYS -
IXFN110N85X
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227BIXYS -
IXFM35N30
MOSFET N-CH 300V 35A TO204AEIXYS -
IXFN100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227BIXYS -
IXFN100N25
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227BIXYS -
IXFN102N30P
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227BIXYS -
IXFM15N60
MOSFET N-CH 600V 15A TO204AEIXYS -
IXFN100N10S1
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXYS -
IXFM1633
POWER MOSFET TO-3IXYS -
IXFM67N10
MOSFET N-CH 100V 67A TO204AEIXYS -
IXFN110N65X3
DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 SOTIXYS -
IXFN106N20
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227BIXYS -
IXFM11N80
MOSFET N-CH 800V 11A TO204AAIXYS -
IXFN100N10S2
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXYS -
IXFM1766
POWER MOSFET TO-3IXYS -
IXFM1627
POWER MOSFET TO-3IXYS -
IXFN100N50P
MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227BIXYS