IXFH80N65X2-4
工場モデル | IXFH80N65X2-4 |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L |
パッケージ | TO-247-4L |
株式 | 10014 pcs |
データシート | IXFH80N65X2-4 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$6.423 | $5.904 | $4.987 | $4.436 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 4mA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
シリーズ | HiPerFET™, Ultra X2 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 38mOhm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 890W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-4 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8300 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 140 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
基本製品番号 | IXFH80 |
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