Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IXFH7N80
IXYS

IXFH7N80

工場モデル IXFH7N80
メーカー IXYS
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
パッケージ TO-247AD (IXFH)
株式 4160 pcs
データシート IXF(H,M)7N80DK OBS NOTICE
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYSシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4160のIXYS IXFH7N80の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4.5V @ 2.5mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.4Ohm @ 3.5A, 10V
電力消費(最大) 180W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2800 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 130 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 7A (Tc)
基本製品番号 IXFH7

おすすめ商品

IXFH7N80 データテーブルPDF

データシート