IXFC110N10P
工場モデル | IXFC110N10P |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220 |
パッケージ | ISOPLUS220™ |
株式 | 5648 pcs |
データシート | IXFC110N10PMultiple Devices 13/Dec/2013 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 4mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | ISOPLUS220™ |
シリーズ | HiPerFET™, PolarHT™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 55A, 10V |
電力消費(最大) | 120W (Tc) |
パッケージ/ケース | ISOPLUS220™ |
パッケージ | Box |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3550 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
基本製品番号 | IXFC110N10 |
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