IXFB30N120P
| 工場モデル | IXFB30N120P |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
| パッケージ | PLUS264™ |
| 株式 | 2928 pcs |
| データシート | IXFB30N120P |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $17.762 | $16.57 | $14.387 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 6.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ |
| シリーズ | HiPerFET™, Polar |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 1250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 22500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 310 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 基本製品番号 | IXFB30 |
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