IXFA4N100Q-TRL
工場モデル | IXFA4N100Q-TRL |
---|---|
メーカー | IXYS |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO263 |
パッケージ | TO-263AA (IXFA) |
株式 | 23632 pcs |
データシート | IXF(A,P)4N100Q |
提案された価格 (米ドルでの測定)
800 |
---|
$1.548 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.5V @ 1.5mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AA (IXFA) |
シリーズ | HiPerFET™, Q Class |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3Ohm @ 2A, 10V |
電力消費(最大) | 150W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1050 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Tc) |
基本製品番号 | IXFA4N100 |
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