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IXFA3N120TRL

工場モデル IXFA3N120TRL
メーカー IXYS Corporation
詳細な説明 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
パッケージ TO-263
株式 23401 pcs
データシート IXFA3N120, IXFP3N120
提案された価格 (米ドルでの測定)
800
$1.671
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのIXYS Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。23401のIXYS Corporation IXFA3N120TRLの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 1.5mA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263
シリーズ HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費(最大) 200W (Tc)
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前 IXFA3N120TRLTR
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 14 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1050pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 39nC @ 10V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1200V
詳細な説明 N-Channel 1200V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Tc)

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IXFA3N120TRL データテーブルPDF

データシート