HGT1S12N60B3S
工場モデル | HGT1S12N60B3S |
---|---|
メーカー | Harris Corporation |
詳細な説明 | 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT |
パッケージ | D2PAK (TO-263) |
株式 | 59136 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
213 |
---|
$0.556 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。59136のHarris Corporation HGT1S12N60B3Sの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 600 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2.1V @ 15V, 12A |
試験条件 | 480V, 12A, 25Ohm, 15V |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | 26ns/150ns |
エネルギーの切り替え | 304µJ (on), 250µJ (off) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (TO-263) |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 104 W |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | - |
ゲートチャージ | 68 nC |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 110 A |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 27 A |
おすすめ商品
-
HGT1S14N36G3VLS
IGBT 390V 18A 100W TO263ABonsemi -
HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263ABonsemi -
HGT1S14N41G3VLS
IGBT, 25A, 445V, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1N40N60A4D
IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227Bonsemi -
HGT1S10N120BNS
IGBT 1200V 35A 298W TO263ABonsemi -
HGT1S14N36G3VLT_NL
IGBT, 18A, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60C3DS
IGBT, 24A, 600V, N-CHANNELFairchild Semiconductor -
HGT1S12N60A4DS
IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2Fairchild Semiconductor -
HGT1S14N36G3VLT
IGBT 390V 18A 100W TO262AAonsemi -
HGT1S12N60A4DS
IGBT 600V 54A 167W D2PAKonsemi -
HGT1S12N60A4S9A
IGBT 600V 54A 167W TO263ABonsemi -
HGT1S10N120BNS
IGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-Fairchild Semiconductor -
HGT1S14N36G3VLT
N-CHANNEL IGBTFairchild Semiconductor