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HGT1S10N120BNST

工場モデル HGT1S10N120BNST
メーカー onsemi
詳細な説明 IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 44835 pcs
データシート Description Chg 01/Apr/2016TO263 31/Aug/2016Logo 17/Aug/2017Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$1.122 $1.008 $0.826
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。44835のonsemi HGT1S10N120BNSTの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 1200 V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大） 2.7V @ 15V, 10A
試験条件 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃ 23ns/165ns
エネルギーの切り替え 320µJ (on), 800µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
電力 - 最大 298 W
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力タイプ Standard
IGBTタイプ NPT
ゲートチャージ 100 nC
電流 - コレクタパルス（ICM） 80 A
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 35 A
基本製品番号 HGT1S10

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データシート

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