G75P04FI
工場モデル | G75P04FI |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | P-40V,-60A,RD(MAX)<7M@-10V,VTH-1 |
パッケージ | TO-220F |
株式 | 4945 pcs |
データシート | G75P04FI |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 89W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6275 pF @ 20 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 106 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
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