IRFR1205TRPBF
工場モデル | IRFR1205TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK |
パッケージ | D-Pak |
株式 | 125008 pcs |
データシート | Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021Mult Dev Label Chgs Aug/2020Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022IR Part Numbering SystemPackage Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Site Chg 14/May/2020 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.649 | $0.58 | $0.453 | $0.374 | $0.295 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 27mOhm @ 26A, 10V |
電力消費(最大) | 107W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1300 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 65 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 55 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 44A (Tc) |
基本製品番号 | IRFR1205 |
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