G2K3N10H
工場モデル | G2K3N10H |
---|---|
メーカー | Goford Semiconductor |
詳細な説明 | MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223 |
パッケージ | SOT-223 |
株式 | 2485196 pcs |
データシート | G2K3N10H |
提案された価格 (米ドルでの測定)
2500 | 15000 | 30000 | 50000 |
---|---|---|---|
$0.025 | $0.022 | $0.02 | $0.019 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2485196のGoford Semiconductor G2K3N10Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 220mOhm @ 2A, 10V |
電力消費(最大) | 2.4W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 434 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 13 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A (Tc) |
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