G2K2P10SE
| 工場モデル | G2K2P10SE |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~ |
| パッケージ | 8-SOP |
| 株式 | 1008132 pcs |
| データシート | G2K2P10SE |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 4000 | 16000 | 32000 | 48000 |
|---|---|---|---|
| $0.058 | $0.054 | $0.049 | $0.045 |
納期
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RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 200mOhm @ 3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1653 pF @ 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A (Tc) |
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