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Goford Semiconductor

G2014

工場モデル G2014
メーカー Goford Semiconductor
詳細な説明 N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
パッケージ 6-DFN (2x2)
株式 1559468 pcs
データシート G2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
3000 15000 30000 51000
$0.039 $0.036 $0.032 $0.03
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1559468のGoford Semiconductor G2014の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-DFN (2x2)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 7mOhm @ 5A, 10V
電力消費（最大） 3W (Tc)
パッケージ/ケース 6-WDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1710 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17.5 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 14A (Tc)

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データシート

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