G2012
| 工場モデル | G2012 |
|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor |
| 詳細な説明 | N20V,RD(MAX)<12M@4.5V,RD(MAX)<18 |
| パッケージ | 6-DFN (2x2) |
| 株式 | 1356085 pcs |
| データシート | G2012 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 15000 | 30000 | 51000 |
|---|---|---|---|
| $0.031 | $0.029 | $0.026 | $0.024 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGoford Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1356085のGoford Semiconductor G2012の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-DFN (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 12mOhm @ 5A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1255 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
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