MURT20020R
| 工場モデル | MURT20020R |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE MODULE 100A 3TOWER |
| パッケージ | Three Tower |
| 株式 | 988 pcs |
| データシート | MURT20005 thru MURT20020R |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 80 |
|---|
| $36.918 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。988のGeneSiC Semiconductor MURT20020Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 100 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 200 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Three Tower |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 75 ns |
| パッケージ/ケース | Three Tower |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 装着タイプ | Chassis Mount |
| ダイオード構成 | 1 Pair Common Anode |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 25 µA @ 50 V |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり） | 100A |
| 基本製品番号 | MURT20020 |
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