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GeneSiC Semiconductor

MURT10010R

工場モデル MURT10010R
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
パッケージ Three Tower
株式 4261 pcs
データシート DK OBS NOTICEMURT10005 thru 10020R
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4261のGeneSiC Semiconductor MURT10010Rの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.3 V @ 50 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 100 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 75 ns
製品属性 属性値
パッケージ/ケース Three Tower
パッケージ Bulk
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 25 µA @ 50 V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり） 50A

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