GE08MPS06E
| 工場モデル | GE08MPS06E |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2 |
| パッケージ | TO-252-2 |
| 株式 | 55005 pcs |
| データシート | GE08MPS06E |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.912 | $0.799 | $0.758 | $0.699 | $0.664 | $0.655 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。55005のGeneSiC Semiconductor GE08MPS06Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 21A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 373pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | GE08MPS06 |
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