GE06MPS06E
工場モデル | GE06MPS06E |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2 |
パッケージ | TO-252-2 |
株式 | 59730 pcs |
データシート | GE06MPS06E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 |
---|---|---|---|---|---|
$0.801 | $0.696 | $0.658 | $0.605 | $0.573 | $0.56 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - 逆(VR)(最大) | 650 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252-2 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Cut Tape (CT) |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 平均整流(イオ) | 17A |
Vrと、F @キャパシタンス | 279pF @ 1V, 1MHz |
基本製品番号 | GE06MPS06 |
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