GD30MPS12J
工場モデル | GD30MPS12J |
---|---|
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO263-7 |
パッケージ | TO-263-7 |
株式 | 12631 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 25 | 100 | 250 |
---|---|---|---|---|
$4.005 | $3.604 | $3.457 | $3.245 | $3.231 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - 逆(VR)(最大) | 1200 V |
技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
逆回復時間(trrの) | 0 ns |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tube |
動作温度 - ジャンクション | 175°C |
装着タイプ | Surface Mount |
電流 - 平均整流(イオ) | 30A |
Vrと、F @キャパシタンス | - |
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