GD30MPS12H
| 工場モデル | GD30MPS12H |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARB 1.2KV 55A TO247-2 |
| パッケージ | TO-247-2 |
| 株式 | 13534 pcs |
| データシート | GD30MPS12H |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 |
|---|---|---|---|---|
| $3.899 | $3.506 | $3.361 | $3.152 | $3.132 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。13534のGeneSiC Semiconductor GD30MPS12Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.8 V @ 30 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 1200 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-2 |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| パッケージ/ケース | TO-247-2 |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 20 µA @ 1200 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 55A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 1101pF @ 1V, 1MHz |
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