G3R350MT12D
| 工場モデル | G3R350MT12D |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 |
| パッケージ | TO-247-3 |
| 株式 | 35255 pcs |
| データシート | G3R350MT12D |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 | 2500 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.679 | $1.491 | $1.422 | $1.323 | $1.262 | $1.217 | $1.174 | $1.17 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.69V @ 2mA |
| Vgs（最大） | ±15V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| シリーズ | G3R™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 420mOhm @ 4A, 15V |
| 電力消費（最大） | 74W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 334 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 12 nC @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11A (Tc) |
| 基本製品番号 | G3R350 |
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