G3R160MT12J
| 工場モデル | G3R160MT12J |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7 |
| パッケージ | TO-263-7 |
| 株式 | 16811 pcs |
| データシート | G3R160MT12J |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $2.841 | $2.553 | $2.447 | $2.295 | $2.2 | $2.131 | $2.076 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.7V @ 5mA (Typ) |
| Vgs（最大） | +20V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 |
| シリーズ | G3R™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 208mOhm @ 10A, 15V |
| 電力消費（最大） | 128W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 724 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 23 nC @ 15 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Tc) |
| 基本製品番号 | G3R160 |
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