2N7639-GA
| 工場モデル | 2N7639-GA |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 詳細な説明 | TRANS SJT 650V 15A TO257 |
| パッケージ | TO-257 |
| 株式 | 5528 pcs |
| データシート | Mult Devices OBS 27/Apr/20182N7639-GA |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | - |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 15A |
| 電力消費（最大） | 172W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-257-3 |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1534 pF @ 35 V |
| FETタイプ | - |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) (155°C) |
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