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GeneSiC Semiconductor

2N7635-GA

工場モデル 2N7635-GA
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 TRANS SJT 650V 4A TO257
パッケージ TO-257
株式 4271 pcs
データシート Mult Devices OBS 27/Apr/2018
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4271のGeneSiC Semiconductor 2N7635-GAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) -
Vgs(最大) -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ TO-257
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 415mOhm @ 4A
電力消費(最大) 47W (Tc)
パッケージ/ケース TO-257-3
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 324 pF @ 35 V
FETタイプ -
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc) (165°C)

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2N7635-GA データテーブルPDF

データシート