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GeneSiC Semiconductor

1N8035-GA

工場モデル 1N8035-GA
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE SIL CARB 650V 14.6A TO276
パッケージ TO-276
株式 4141 pcs
データシート
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4141のGeneSiC Semiconductor 1N8035-GAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.5 V @ 15 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 650 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-276
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-276AA
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C
装着タイプ Surface Mount
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 5 µA @ 650 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 14.6A
Vrと、F @キャパシタンス 1107pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 1N8035

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