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GeneSiC Semiconductor

1N8028-GA

工場モデル 1N8028-GA
メーカー GeneSiC Semiconductor
詳細な説明 DIODE SIL CARB 1.2KV 9.4A TO257
パッケージ TO-257
株式 4306 pcs
データシート 1N8028-GA
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのGeneSiC Semiconductorシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4306のGeneSiC Semiconductor 1N8028-GAの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1.6 V @ 10 A
電圧 - 逆（VR）（最大） 1200 V
技術 SiC (Silicon Carbide) Schottky
サプライヤデバイスパッケージ TO-257
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 0 ns
パッケージ/ケース TO-257-3
製品属性 属性値
パッケージ Tube
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 250°C
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 20 µA @ 1200 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 9.4A
Vrと、F @キャパシタンス 884pF @ 1V, 1MHz
基本製品番号 1N8028

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