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NXP USA Inc.

PMZB290UNE,315

工場モデル PMZB290UNE,315
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
パッケージ DFN1006B-3
株式 3798 pcs
データシート PMZB290UNE
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。3798のNXP USA Inc. PMZB290UNE,315の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 950mV @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DFN1006B-3
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 380mOhm @ 500mA, 4.5V
電力消費（最大） 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
パッケージ/ケース SC-101, SOT-883
パッケージ Bulk
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 83 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 0.68 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.8V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Ta)

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