PMZB1200UPEYL
| 工場モデル | PMZB1200UPEYL |
|---|---|
| メーカー | NXP Semiconductors |
| 詳細な説明 | NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN |
| パッケージ | DFN1006B-3 |
| 株式 | 2072118 pcs |
| データシート | PMZB1200UPEYL DatasheetPMZB1200UPEYL Datasheet |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 7194 |
|---|
| $0.016 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006B-3 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 43.2 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.2 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 410mA (Ta) |
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