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PMWD19UN,518

工場モデル PMWD19UN,518
メーカー NXP USA Inc.
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 6284 pcs
データシート PMWD19UNAll Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのNXP USA Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。6284のNXP USA Inc. PMWD19UN,518の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 700mV @ 1mA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ TrenchMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 23mOhm @ 3.5A, 4.5V
電力 - 最大 2.3W
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1478pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 28nC @ 5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.6A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 PMWD19

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