PMWD15UN,518
工場モデル | PMWD15UN,518 |
---|---|
メーカー | NXP USA Inc. |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 4903 pcs |
データシート | All Dev Label Update 15/Dec/2020NXP USA Inc REACHNXP USA Inc RoHS Cert |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 700mV @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18.5mOhm @ 5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 4.2W |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1450pF @ 16V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22.2nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.6A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | PMWD15 |
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