PDTC123EMB,315
工場モデル | PDTC123EMB,315 |
---|---|
メーカー | NXP Semiconductors |
詳細な説明 | NOW NEXPERIA PDTC123EMB - SMALL |
パッケージ | DFN1006B-3 |
株式 | 3866 pcs |
データシート | PDTC123EMB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50 V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 150mV @ 500µA, 10mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006B-3 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 2.2 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 2.2 kOhms |
電力 - 最大 | 250 mW |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | 3-XFDFN |
パッケージ | Bulk |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | 230 MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 30 @ 20mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 100 mA |
基本製品番号 | PDTC123 |
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