PDTC115EMB,315
工場モデル | PDTC115EMB,315 |
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メーカー | NXP Semiconductors |
詳細な説明 | PDTC115E - NPN RESISTOR-EQUIPPED |
パッケージ | DFN1006B-3 |
株式 | 3588992 pcs |
データシート | PDTC115EMB |
提案された価格 (米ドルでの測定)
11871 |
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$0.011 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50 V |
IB、IC @ Vce飽和(最大) | 150mV @ 250µA, 5mA |
トランジスタ型式 | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ | DFN1006B-3 |
シリーズ | - |
抵抗器ベース(R2) | 100 kOhms |
抵抗器 - ベース(R1) | 100 kOhms |
電力 - 最大 | 250 mW |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ/ケース | SC-101, SOT-883 |
パッケージ | Bulk |
装着タイプ | Surface Mount |
周波数 - トランジション | 230 MHz |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 80 @ 5mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 1µA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 20 mA |
基本製品番号 | PDTC115 |
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